高电压igbt测试设备

价格:1000元 联系人:陶女士 IGBT功率半导体器件测试难点 IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点;同时IGBT芯片属于电力电子芯片,需要工作在大电流、高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高。这给IGBT测试带来了一定的困难: 1、IGBT是多端口器件,需要多种仪表协同测试;2、IGBT的漏电流越小越好,需要高精度的设备进行测试; 3、IGBT的电流输出能力很强,测试时需要快速注入1000A级电流,并完成压降的采样; 4、lGBT耐压较高,一般从几千到一万伏不等,需要测量仪器具备高压输出和高压下nA级漏电流测试的能力; 5、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显，严重时容易造成器件烧毁,需要提供us级电流脉冲信号减少器件自加热效应; 6、输入输出电容对器件的开关性能影响很大,不同电压下器件等效结电容不同,C-V测试十分有必要。 普赛斯IGBT功率半导体器件静态参数测试解决方案 普赛斯高电压igbt测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。详询*****************双高”系统优势 高电压、大电流 具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V( 大可扩展至10kV) 具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联) 高精度测量 nA级漏电流, μΩ级导通电阻 0.1%精度测量 模块化配置 可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元 测试效率高 内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元 支持国标全指标的一键测试 扩展性好 支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具 测试项目 集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat 集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges 栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th) 输入电容、输出电容、反向传输电容 续流二极管压降Vf I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等